In occasione del FMS 2026, Samsung ha illustrato la propria roadmap dedicata alle memorie per l'intelligenza artificiale, mostrando nuove architetture e tecnologie che puntano ad aumentare prestazioni, densità ed efficienza energetica delle future infrastrutture AI. L'azienda ha esposto circa 30 tra soluzioni dedicate a DRAM, NAND ed enterprise storage, anticipando anche due concept destinati alle prossime generazioni di sistemi per l'elaborazione dell'intelligenza artificiale.
Tra le principali novità figurano zHBM e zNAND-O, due nuove architetture che rappresentano la visione di Samsung per l'evoluzione delle memorie tridimensionali. La prima introduce un approccio differente rispetto alle implementazioni attuali: invece di collocare la memoria accanto all'acceleratore AI, zHBM prevede l'impilamento verticale della memoria direttamente sopra il chip dedicato all'elaborazione. Questa configurazione riduce la distanza percorsa dai dati, con l'obiettivo di incrementare la larghezza di banda e migliorare l'efficienza energetica durante le operazioni di training e inferenza dei modelli AI.
Secondo Samsung, un sistema basato sulla nuova interfaccia zHBM potrebbe raggiungere prestazioni pari a circa otto volte quelle delle future HBM5. L'impiego della tecnologia di wafer bonding di nuova generazione permette inoltre di ottenere una densità della memoria superiore di oltre 10 volte rispetto a HBM5, un'efficienza energetica triplicata e una resistenza termica ridotta di oltre il 50%. La piattaforma supporta inoltre configurazioni personalizzate, con la possibilità di integrare IP specifici nello strato intermedio tra memoria e acceleratore AI per aumentare capacità e prestazioni.
