Samsung ha compiuto un nuovo passo nello sviluppo delle memorie NAND ad alta densità. L'azienda coreana ha infatti realizzato il primo prototipo di V-NAND a 900 layer, una tecnologia che rappresenta uno dei progetti più avanzati nel settore dello storage e che prepara il terreno alla futura generazione da 1000 layer prevista entro il 2030.
Secondo le informazioni riportate da ETNews, Samsung ha raggiunto il traguardo grazie alla tecnologia CMB (Cell Multi-Bonding), soluzione che consente di combinare due stack da 450 layer in un unico dispositivo. Il risultato permette di aumentare in modo sensibile la densità delle memorie NAND, con benefici in termini di capacità per qualsiasi segmento, dai server agli smartphone.
La realizzazione di una memoria con un numero così elevato di layer ha richiesto la risoluzione di diversi problemi tecnici. Tra gli ostacoli principali figurava il fenomeno del wafer warping, cioè la deformazione del wafer durante i processi produttivi. Samsung ha affrontato il problema con un nuovo sistema chiamato Upper Chuck Design, mentre gli errori di allineamento tra i layer sono stati corretti tramite tecnologie di Overlay Correction.
L'obiettivo della società resta quello annunciato già nel 2024: arrivare alla produzione di memorie V-NAND da 1000 layer anche attraverso l'utilizzo di nuovi materiali ferroelettrici. Nel frattempo, le generazioni intermedie da oltre 400 layer dovrebbero debuttare nel corso dei prossimi anni.
