Samsung ha annunciato la nuova generazione di memoria UFS 5.0, una soluzione progettata per incrementare in modo significativo le prestazioni dei dispositivi mobili e favorire l'evoluzione delle applicazioni basate sull'intelligenza artificiale eseguite direttamente sul dispositivo. Secondo quanto dichiarato dall'azienda, il nuovo standard integra le pi� recenti specifiche JEDEC per le memorie embedded e raggiunge una larghezza di banda fino a 10,8 GB/s, un valore che rappresenta uno dei livelli pi� elevati disponibili nel settore.
Le prestazioni dichiarate includono velocit� di lettura sequenziale fino a 10,8 GB/s e velocit� di scrittura sequenziale fino a 9,5 GB/s. Samsung sottolinea che questi risultati superano di oltre due volte quelli ottenibili con il precedente standard UFS 4.1. Le prestazioni raggiunte si avvicinano inoltre a quelle di alcune soluzioni di memoria DRAM moderne, rendendo possibile una gestione pi� rapida di grandi quantit� di dati.
Uno degli obiettivi principali della nuova tecnologia � migliorare le capacit� dei modelli di intelligenza artificiale eseguiti localmente sugli smartphone. Grazie alla maggiore larghezza di banda, i dispositivi potranno elaborare contesti pi� ampi e gestire carichi di lavoro complessi in modo pi� efficiente, senza dover ricorrere continuamente ai servizi cloud.
