SanDisk e Kioxia hanno annunciato l'avvio delle spedizioni dei primi sample della nuova memoria 3D NAND BiCS10 TLC da 1 Tb (terabit), decima generazione della piattaforma sviluppata con l'architettura BiCS FLASH. La nuova soluzione punta soprattutto al settore degli SSD enterprise e dei data center, dove la crescita dei carichi di lavoro legati all'intelligenza artificiale richiede capacità elevate, maggiore velocità e una migliore efficienza energetica. La produzione utilizzerà gli impianti di ultima generazione della fabbrica Kitakami Plant Fab2, nella prefettura di Iwate, in Giappone.
Tra le caratteristiche principali della nuova BiCS10 spicca un'interfaccia NAND da 4,8 Gb/s, che rappresenta un incremento del 33% rispetto alla memoria BiCS di ottava generazione oggi prodotta in volumi. Il progetto introduce inoltre 332 layer, insieme a tecniche avanzate di scaling laterale che permettono di incrementare la densità dei bit del 59%, raggiungendo oltre 29 Gb/mm² nella versione annunciata da SanDisk.
La nuova generazione continua a utilizzare la tecnologia CMOS directly Bonded to Array (CBA), che realizza separatamente la logica CMOS e l'array di memoria su wafer distinti prima dell'unione tramite un processo di bonding ad alta precisione. Questa architettura permette di migliorare densità, prestazioni ed efficienza rispetto alle generazioni precedenti.
