Samsung ha annunciato l'avvio delle spedizioni ai principali clienti globali dei primi sample di memoria HBM4E a 12 layer, nuova evoluzione della propria roadmap per le memorie ad alta banda dedicate ai carichi di lavoro AI e alle infrastrutture hyperscale.
L'annuncio arriva a pochi mesi dall'avvio della produzione di massa delle HBM4, tecnologia con cui Samsung aveva già rivendicato il primato industriale nel segmento. Con HBM4E, l'azienda punta ora a incrementare ulteriormente bandwidth, capacità ed efficienza energetica, aspetti sempre più centrali nell'addestramento e nell'inferenza dei modelli AI di grandi dimensioni.
Secondo quanto dichiarato dalla società coreana, le nuove HBM4E raggiungono una velocità stabile di 14 Gbps per pin, con possibilità di scaling fino a 16 Gbps. Rispetto alle HBM4 precedenti, il miglioramento supera il 20%, mentre la bandwidth per stack arriva fino a 3,6 TB/s, valore pensato per sostenere le esigenze computazionali di LLM e acceleratori AI di nuova generazione.
La configurazione iniziale proposta da Samsung prevede un package a 12 layer con capacità di 48 GB, oltre il 30% in più rispetto alla generazione precedente. L'azienda ha inoltre anticipato l'intenzione di introdurre varianti da 32 GB con stack a 8 layer e modelli da 64 GB con configurazione a 16 layer, in funzione delle richieste dei clienti.
