Samsung ha iniziato a spedire i primi sample delle memorie HBM4E a 12 layer, evoluzione delle HBM4 dedicate ai sistemi AI. Le nuove soluzioni offrono velocit� fino a 16 Gbps, bandwidth di 3,6 TB/s per stack, capacit� fino a 64 GB e miglioramenti in efficienza energetica e dissipazione termica.

Samsung avrebbe già venduto tutta la capacità HBM4 preparata, mentre Nvidia potrebbe assorbire da sola più LPDDR di Apple e Samsung insieme nel 2027

Samsung ha completato il primo prototipo di memoria V-NAND a 900 layer grazie alla tecnologia CMB, che unisce due stack da 450 layer. L'azienda punta ai 1000 layer entro il 2030…