Con il mercato globale dei semiconduttori avviato verso la soglia del trilione di dollari di fatturato annuo, la corsa a chip sempre più veloci ed efficienti sta incontrando un ostacolo meno visibile dei transistor: le minuscole interconnessioni in rame che collegano i circuiti interni dei processori.
Il problema non è tanto il rame in sé, quanto i materiali che lo rivestono. Nei chip moderni ogni filo di rame necessita infatti di due strati protettivi: una barriera che impedisce agli atomi di rame di migrare nei materiali circostanti causando cortocircuiti, e un liner che favorisce l'adesione del rame al substrato e la formazione di connessioni uniformi.
Le soluzioni industriali attuali, basate principalmente su materiali al tantalio, richiedono spessori di alcuni nanometri. Nelle future generazioni di chip questi rivestimenti rischiano però di occupare fino a metà della sezione del filo, aumentando sensibilmente la resistenza elettrica e limitando prestazioni ed efficienza energetica.
Per affrontare il problema, ricercatori della National University of Singapore e di Applied Materials hanno sviluppato un processo che consente di crescere film cristallini di disolfuro di tungsteno (WS₂) spessi appena 0,7 nanometri, cioè pochi atomi, su wafer industriali da 200 mm.
