Ricercatori della National University of Singapore e Applied Materials hanno sviluppato un film di disolfuro di tungsteno (WS₂) spesso appena 0,7 nm capace di svolgere sia la funzione di barriera sia quella di liner nelle interconnessioni in rame dei chip, riducendo resistenza elettrica e problemi di affidabilit�.

Imec, ASML e TSMC hanno presentato una nuova piattaforma di integrazione su wafer da 300 mm per transistor basati su materiali bidimensionali. La dimostrazione include nFET e pFET…

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