Imec, ASML e TSMC hanno annunciato un importante avanzamento nello sviluppo dei transistor basati su materiali bidimensionali (2D), presentando al Symposium on VLSI Technology and Circuits 2026 dell'IEEE/JSAP una nuova metodologia di integrazione su wafer da 300 mm che punta a colmare il divario tra ricerca accademica e produzione industriale.
La collaborazione tra il centro di ricerca belga, il fornitore di soluzioni litografiche ASML e la fonderia taiwanese TSMC ha permesso di realizzare per la prima volta transistor nFET e pFET basati su materiali della famiglia dei dicalcogenuri dei metalli di transizione (TMD) con un contacted poly pitch (CPP) di 50 nanometri, ovvero la distanza minima da centro a centro tra due transistor adiacenti su un chip.
I dispositivi utilizzano MoS2 (disolfuro di molibdeno) come materiale di canale per gli nFET e WS2 (disolfuro di tungsteno) o WSe2 (diseleniuro di tungsteno) per i pFET. Secondo i ricercatori, i risultati ottenuti rappresentano un passaggio cruciale verso l'adozione industriale dei transistor 2D, candidati a estendere la roadmap della miniaturizzazione oltre i limiti del silicio tradizionale.
I materiali TMD attirano da anni l'interesse dell'industria dei semiconduttori perché, grazie al loro spessore atomico, consentono un eccellente controllo elettrostatico del canale anche con lunghezze estremamente ridotte, mantenendo al tempo stesso una mobilità dei portatori sufficientemente elevata.
