IBM annuncia una nuova fase della ricerca sui semiconduttori con una tecnologia di processo definita sub-1 nanometro.
La soglia non rappresenta una misura geometrica diretta, ma una classificazione industriale per indicare l’estremo avanzamento dei nodi di produzione. L’annuncio arriva in un momento in cui la miniaturizzazione dei transistor si avvicina ai limiti fisici del silicio, mentre la domanda di potenza di calcolo per AI, data center e acceleratori grafici continua a crescere in modo sostenuto. Negli ultimi vent’anni il settore è passato da nodi a 90 nm fino agli attuali 3 nm in produzione avanzata, con una complessità litografica crescente a ogni generazione.
Transistor più densi, architetture più verticali
La definizione sub-1 nm si colloca nella linea di ricerca che include già nodi a 2 nm e 3 nm, ma punta a introdurre architetture transistor ancora più dense e tridimensionali.
Il controllo del canale elettrico non dipende più da un singolo piano: strutture sovrapposte migliorano il confinamento degli elettroni e riducono le perdite di corrente. IBM spinge il gate-all-around, già adottato nei nodi più avanzati, verso configurazioni a nanosheet sempre più sottili per aumentare la densità logica senza compromettere la stabilità elettrica.
