CEA-Leti ha annunciato un importante traguardo nel campo dell'integrazione tridimensionale dei semiconduttori, presentando all'ECTC 2026 un veicolo di test funzionante basato sulla tecnologia di hybrid bonding die-to-wafer (D2W) con un pitch delle interconnessioni ridotto fino a 1 micrometro.
Il risultato che spinge verso architetture sempre pi� dense e potrebbe contribuire ad affrontare alcune delle principali limitazioni che l'industria dei semiconduttori incontra nel proseguire il percorso di miniaturizzazione tradizionalmente associato alla Legge di Moore.
L'interesse per le tecnologie di stacking 3D � cresciuto rapidamente negli ultimi anni, soprattutto in ambiti come il calcolo ad alte prestazioni (HPC), l'intelligenza artificiale e i sistemi di visione avanzata. In questi settori, la densit� delle interconnessioni tra diversi die rappresenta un fattore determinante per incrementare la larghezza di banda disponibile e ridurre al tempo stesso i consumi energetici. L'approccio D2W consente infatti di impilare verticalmente pi� livelli di dispositivi, accorciando in modo significativo la distanza percorsa dai dati rispetto alle tradizionali connessioni orizzontali.
Secondo quanto riportato dal centro di ricerca francese, la caratterizzazione elettrica delle strutture testate ha confermato il corretto funzionamento di configurazioni dotate di un massimo di 100.000 collegamenti. I test hanno evidenziato risultati in linea con le aspettative per pitch compresi tra 5 e 2 micrometri, mentre il passaggio alla soglia di 1 micrometro ha evidenziato come la precisione di allineamento degli attuali strumenti di bonding rappresenti ancora il principale limite tecnologico.
