CEA-Leti ha dimostrato la possibilit� di eseguire hybrid bonding die-to-wafer con pitch fino a 1 micrometro, un risultato che punta a incrementare densit� di interconnessione, banda passante ed efficienza energetica nei chip destinati a intelligenza artificiale, HPC e sensori avanzati. La roadmap guarda gi� ai 0,5 micrometri.