Imec, ASML e TSMC hanno presentato una nuova piattaforma di integrazione su wafer da 300 mm per transistor basati su materiali bidimensionali. La dimostrazione include nFET e pFET con CPP di 50 nm, basse correnti di perdita e compatibilit� con processi avanzati. La produzione industriale di questa tecnologia si avvicina.

Imec, ASML e TSMC hanno presentato una nuova piattaforma di integrazione su wafer da 300 mm per transistor basati su materiali bidimensionali. La dimostrazione include nFET e pFET…

Ricercatori della National University of Singapore e Applied Materials hanno sviluppato un film di disolfuro di tungsteno (WS₂) spesso appena 0,7 nm capace di svolgere sia la…