Intel Foundry e ASML hanno confermato nuovi progressi nell'introduzione della litografia High-NA EUV nella produzione di semiconduttori. Il punto più significativo riguarda il superamento della soglia di un milione di wafer da 300 mm processati utilizzando scanner High-NA EUV, un risultato che comprende le attività di installazione e certificazione degli strumenti, ricerca e sviluppo e produzione vera e propria.
Il traguardo assume particolare rilevanza considerando i tempi relativamente brevi dall'introduzione della tecnologia. Intel ha installato il primo sistema commerciale High-NA EUV nel 2024 e oggi utilizza gli scanner della famiglia ASML TWINSCAN EXE, tra cui due EXE:5000 e almeno un EXE:5200B. La capacità produttiva è quindi aumentata sensibilmente rispetto alle circa 30.000 unità processate con High-NA EUV fino a febbraio 2025.
Secondo quanto comunicato da Intel, la tecnologia è già utilizzata nella produzione ad alto volume di alcuni strati dei processori Core Ultra Series 3, nome in codice Panther Lake, realizzati con il processo Intel 18A. Le prestazioni ottenute sulle strutture realizzate con High-NA EUV risultano in linea o superiori rispetto a quelle di strati analoghi prodotti attraverso la piattaforma NXE, basata sulla litografia EUV con apertura numerica di 0,33.
