ASML und Intel melden einen Meilenstein bei der Einführung neuer Lithografie-Systeme mit extrem-ultravioletter Belichtungstechnik bei hoher numerischer Apertur (High-NA EUV). Dabei kommen größere Optiken zum Einsatz, um mehr Licht einzufangen und so die Auflösung für die Chipstrukturen von 13,5 auf 9 Nanometer zu verbessern.
Diese Werte sind nicht mit den Namen moderner Fertigungsprozesse zu verwechseln: 2 Nanometer & Co. sind Marketing-Bezeichnungen. Die tatsächlichen Strukturbreiten sind deutlich gröber.
Panther Lake mit neuem Lithografie-System
Intels Chipfertigungstochter Intel Foundry verwendet jetzt erstmals ein High-NA-EUV-System im Produktiveinsatz: Der Hersteller nutzt ein Twinscan Exe:5200B, um damit bestimmte Lagen bei einem Teil der Core-Ultra-300-Prozessoren (Panther Lake) zu belichten. Dazu hat Intel den eigenen modernsten Fertigungsprozess 18A mit High-NA EUV neu qualifiziert. Bei welchen Modellen genau die neue Technik zum Einsatz kommt, verraten die beiden Partner nicht.
Das Lithografie-System befindet sich in Intels US-Halbleiterwerk in Hillsboro, Oregon. Dabei handelt es sich vornehmlich um einen Forschungsstandort, der nur einen kleinen Teil der Gesamtproduktion übernimmt.
