Le géant technologique chinois Huawei a annoncé lundi la mise au point d’un nouveau procédé de fabrication de semi-conducteurs, qui lui permet de contourner les obstacles dressés par les États-Unis à l’accès aux équipements de pointe.Au cœur de la confrontation technologique entre Chine et États-Unis, Huawei fait l’objet depuis 2019 de sanctions américaines imposées au nom de la sécurité nationale.Washington dit craindre que Pékin n’utilise la technologie de Huawei à des fins d’espionnage, ce que réfute l’entreprise. Les sanctions américaines ont pour effet de bloquer l’accès du groupe à des composants et des technologies venus des États-Unis, notamment aux machines de lithographie utilisées pour produire les puces les plus performantes au monde.La cheffe de la division semi-conducteurs de Huawei, He Tingbo, a déclaré lundi que l’entreprise chinoise serait en mesure de produire des puces de nouvelle génération gravées en 1,4 nanomètre (1,4 nm) d’ici à 2031.Le groupe taïwanais TSMC, leader du secteur, prévoit d’en faire autant d’ici à 2028.Les puces de pointe capables d’entraîner et d’alimenter des systèmes d’intelligence artificielle (IA) constituent un enjeu crucial de la rivalité technologique entre la Chine et les États-Unis.Nouveau conceptLa puissance de calcul des puces a considérablement augmenté ces dernières décennies, les fabricants y intégrant toujours plus de composants électroniques microscopiques.L’annonce de Huawei laisse penser que l’entreprise a pu s’affranchir du recours aux machines de lithographie extrême ultraviolet (EUV), considérées comme indispensables à la production en série de puces de 5 nm ou moins.« On m’a souvent demandé ces six dernières années […] “comment avez-vous fait pour survivre et revenir au sommet ?” », a rapporté He Tingbo, lors d’une présentation au Symposium international sur les circuits et systèmes à Shanghai.Elle a expliqué que cette nouvelle technique résultait d’une évolution dans la conception traditionnelle de la fabrication des puces.La « loi de Moore », principe développé par Gordon Moore, cofondateur du géant américain Intel, fabricant de semi-conducteurs, stipule que le nombre de transistors (composants régulant le flux d’électricité) sur une puce double tous les deux ans. Une densité de transistors plus élevée permet de réduire la taille de la puce ou, à taille égale, d’augmenter la vitesse de traitement.