0:00Your browser does not support theaudio element.구글 선호 매체 등록김경륜 삼성전자 디(D)램개발실 상무가 지난 4일(현지시각) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 메모리 행사(FMS 2026)에서 발표하고 있다. 삼성전자 제공광고삼성전자·에스케이(SK)하이닉스 등 국내 반도체 기업들이 글로벌 무대에서 일제히 차세대 메모리 제품과 기술을 선보이며 시장 선점 경쟁을 본격화했다. 국내 기업들의 적극적인 투자로 한국이 향후 5년간 세계 메모리 시장의 선두 자리를 지킬 것이라는 전망도 나왔다.삼성전자는 지난 4일(이하 현지시각) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 ‘메모리와 저장 장치의 미래(FMS) 2026’ 행사에서 새로운 설계 방식과 구조를 적용한 차세대 메모리 모형을 최초로 공개했다. 이 행사에는 국내 기업뿐만 아니라 미국 마이크론, 샌디스크, 에이엠디(AMD), 아이비엠(IBM), 일본 키옥시아 등 반도체·정보기술(IT) 분야의 글로벌 기업들이 두루 참여했다.삼성전자의 지에이치비엠(zHBM) 모형. 인공지능(AI) 연산의 두뇌 역할을 하는 인공지능 가속기(xPU) 위에 삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)를 수직으로 쌓아 올린 구조다. 삼성전자 제공김경륜 삼성전자 디(D)램개발실 상무는 이날 기조연설을 통해 차세대 3차원(3D) 메모리인 ‘지에이치비엠’(zHBM) 시제품을 선보였다. 인공지능 연산의 두뇌 구실을 하는 인공지능 가속기(xPU) 칩 옆에 고대역폭메모리(HBM)를 평면으로 배치하는 기존 방식 대신, 가속기 위에 메모리 칩을 아파트처럼 수직으로 층층이 쌓아 올리는 새로운 구조를 적용했다.광고이처럼 인공지능 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화해 데이터의 이동 속도와 전력 효율을 끌어올린 덕분에, 차세대 메모리인 8세대 에이치비엠(HBM5) 대비 최대 8배 높은 성능을 낼 수 있다는 것이 삼성전자 쪽 설명이다. 이날 김 상무는 “삼성이 돌아왔다”며 자신감을 보였다.삼성전자는 행사장에 20평 규모 전시 공간을 마련했다. 이곳에서 스마트폰 등 디지털 기기에서 직접 실행하는 온디바이스 인공지능에 최적화한 고성능 낸드플래시메모리 ‘지낸드-오’(zNAND-O) 모형과 400단 이상의 초고적층 ‘10세대 브이낸드’(V10 BV-NAND) 제품도 공개했다. 대규모 데이터 처리가 필수적인 인공지능 환경에 발맞춰 데이터를 읽고 쓰는 성능을 끌어올린 게 공통점이다.광고광고에스케이(SK)하이닉스의 고대역폭플래시(HBF). 에스케이하이닉스 제공이날 에스케이하이닉스도 자체 전시관을 마련하고, 미국 샌디스크와 함께 만든 차세대 인공지능 메모리인 고대역폭플래시(HBF)의 표준 규격을 최초로 공개했다. 디램 칩들을 수직으로 쌓아 올리는 고대역폭메모리(HBM)처럼 낸드플래시를 8단·16단으로 쌓아 용량을 확대한 것이 특징이다. 인공지능 모델 실행(추론)이 확산하며 처리해야 하는 데이터가 급증한 환경을 고려한 신기술이다.프랑스 시장조사업체 욜그룹의 조지핀 라우 분석가는 이날 행사에서 한국이 2031년까지 ‘메모리 강자’ 자리를 유지할 것으로 전망했다. 한국 정부가 5년 내 메모리 생산 능력을 2배로 확대하겠다는 계획을 세우고, 삼성전자와 에스케이하이닉스도 그에 맞춰 적극적으로 투자를 확대하고 있다는 이유에서다. 라우 분석가는 인공지능 시장이 ‘학습’에서 ‘추론’ 중심으로 변화하며 메모리 신제품 개발 주기도 기존 18개월에서 12개월로 대폭 짧아졌다고 진단했다. 시장 환경이 급변하며 메모리 기업의 대응 속도도 빨라질 수밖에 없다는 얘기다.박종오 기자 pjo2@hani.co.kr