기사를 읽어드립니다Your browser does not support theaudio element.0:00화웨이 반도체사업부 및 반도체 설계 자회사 하이실리콘 총재인 허팅보는 25일 상하이에서 열린 국제회로시스템학회(ISCAS) 2026에서 ‘반도체의 새로운 길 탐색과 실천’을 주제로 기조연설을 하고 타우의 법칙을 발표했다. 화웨이 제공 광고중국 화웨이가 ‘무어의 법칙’을 대체할 새 반도체 개발 이론으로 ‘타우(τ)의 법칙’을 제시하며 2031년 1.4나노미터(㎚) 수준의 첨단 칩 제조에 도전하겠다고 밝혔다. 미국의 대중국 반도체 및 기술 통제가 장기화하는 가운데 이를 우회해 독자 생산 생태계를 구축하려는 움직임으로 풀이된다. 26일 화웨이에 따르면, 화웨이 반도체사업부 및 반도체 설계 자회사 하이실리콘 총재인 허팅보는 전날 상하이에서 열린 ‘국제회로시스템학회(ISCAS) 2026’에서 ‘반도체의 새로운 길 탐색과 실천’을 주제로 기조연설을 하고 ‘타우의 법칙’을 발표했다. 허 총재는 “지속 가능한 진화를 위한 방법을 찾았다”며 “2031년까지 타우의 법칙을 기반으로 개발하는 고급 칩의 집적회로 밀도는 1.4나노 공정 수준에 도달할 수 있을 것”이라고 강조했다. 타우의 법칙은 반도체를 더 작게 만드는 미세화 공정에 초점을 둔 무어의 법칙과 달리, 신호 전달 시간을 줄이는 데 방점을 찍는다. 화웨이는 핵심 기술인 ‘로직폴딩’을 통해 신호 전달 거리를 단축하고, 전력 손실과 간섭 등을 낮춰 칩 성능을 끌어올린다는 설명이다. 이를 통해 화웨이는 선두 업체들과의 격차를 현재 5년에서 3년 안팎으로 좁힌다는 계획이다. 티에스엠시(TSMC)는 2028년 하반기, 삼성전자는 2029년 1.4나노 공정 양산에 들어갈 것으로 업계는 전망하고 있다. 허 총재는 “지난 6년간 화웨이는 타우의 법칙을 기반으로 381종의 칩을 설계하고 양산했다”며 올가을 출시 예정인 칩이 관련 ‘로직폴딩’ 기술을 처음으로 적용한 제품이 될 것이라고 밝혔다.광고 이번 발표는 중국이 미국의 수출 통제를 넘어 첨단 반도체 생산 체계를 구축하는 돌파구가 될 수 있다는 점에서 주목받고 있다. 허 총재는 새로운 반도체 개발 시스템을 적용하면 집적회로 소형화의 핵심 설비인 에이에스엠엘(ASML)의 극자외선(EUV) 노광장비 없이도 첨단 반도체를 생산할 수 있다고 주장했다. 중국 경제매체 차이신은 허 총재의 주장이 실현된다면 “첨단 반도체 양산에 극자외선 노광장비가 필수라는 업계 통념을 뒤집는 일이 될 수 있다”고 짚었다. 극자외선 노광장비는 5나노 이하 첨단 반도체 생산에 필수 설비지만, 미국 주도의 수출 통제로 중국 기업의 접근이 막혀 있다. 화웨이는 이런 상황을 보완하기 위해 데이터 전송 속도를 높이는 데 초점을 맞춘 것으로 보인다. 중국공산당 기관지인 인민일보는 “봉쇄가 있는 곳에 돌파가 있고, 압박이 있는 곳에 혁신이 있다”며 화웨이가 미국 등 서방의 기술 봉쇄 속에서 반도체 분야에 새로운 원칙을 제시했다고 평가했다. 광고광고 다만 상업화 가능성에는 신중론도 제기된다. 상하이재경대학 후옌핑 석좌교수는 중국 경제매체 디이차이징에 “타우의 법칙이 아직 무어의 법칙과 단기간 내 비교할 수준은 아니”라며 “(화웨이의) 실천 경험을 바탕으로 도출된 계산 이론이자 미래 시스템 전망에 가깝다”고 지적했다. 허 총재 역시 앞으로 10년의 기술 방향은 보이지만 해결해야 할 문제가 많다며 전 산업 차원의 공동 창조가 필요하다고 밝혔다. 베이징/이정연 특파원 xingxing@hani.co.kr