Samsung prevede di introdurre la litografia High-NA EUV nella produzione di massa delle memorie DRAM entro il 2028. L'azienda l'ha annunciato insieme all'olandese ASML, unico produttore dei macchinari in questione.
La tecnologia High-NA EUV rappresenta un'evoluzione delle attuali apparecchiature EUV e punta ad aumentare la risoluzione ottenibile durante l'esposizione dei wafer. L'obiettivo, nel caso delle memorie, è continuare a scalare le celle DRAM, semplificando al tempo stesso alcune fasi produttive e migliorando l'efficienza complessiva del processo.
L'annuncio accompagna quello di Intel, che nelle scorse ore ha reso noto di aver superato il traguardo di un milione di wafer esposti - almeno su alcuni livelli - usando apparecchiature High-NA EUV. Anche TSMC si è impegnata a produrre con la nuova tecnologia litografica dal 2030.
L'adozione dell'High-NA EUV per i produttori di memoria ha seguito un percorso più prudente rispetto alle società legate al settore della logica. Le apparecchiature necessarie hanno infatti costi molto elevati, mentre i vantaggi economici derivanti dalla riduzione delle dimensioni delle celle DRAM non sono necessariamente immediati. La maggiore risoluzione può però diventare progressivamente più importante con l'avanzare dello scaling. SK hynix aveva già annunciato in precedenza un percorso analogo verso l'utilizzo dell'High-NA EUV per le memorie.
