TSMC ha diffuso per la prima volta una tempistica precisa per l'introduzione della litografia High-NA EUV di ASML nella produzione ad alto volume. L'azienda taiwanese prevede di utilizzare questa tecnologia a partire dal 2030 sui processi produttivi più avanzati, inizialmente con le attuali fotomaschere da 6 pollici. Parallelamente, TSMC e ASML stanno lavorando con il resto dell'industria alla transizione verso fotomaschere di formato maggiore, con una linea pilota da 12 pollici prevista per il 2031 e l'ingresso nella produzione avanzata dei sistemi compatibili con questo formato nel 2033.
L'annuncio segue quello di Intel, che ha comunicato di aver già fatto uso della litografia a ultravioletti estremi (EUV) ad alta apertura numerica per produrre più di un milione di wafer di chip. La litografia High-NA EUV utilizza un'apertura numerica superiore rispetto ai sistemi EUV attuali, permettendo di raggiungere una maggiore risoluzione e quindi di realizzare strutture più piccole senza ricorrere al patterning multiplo.
TSMC aveva finora mantenuto una posizione prudente sull'introduzione della High-NA nella produzione di massa. Il CEO C.C. Wei aveva confermato che l'azienda disponeva già di diversi sistemi destinati ad attività di ricerca e sviluppo, ma non si era mai impegnato circa il loro impiego produttivo. Ora la società prevede che il ricorso alla tecnologia diventerà progressivamente necessario con l'aumento della complessità dei chip.
