Der neue Speichertyp High Bandwidth Flash (HBF) passiert seinen ersten großen Meilenstein: Die erste technische Spezifikation ist fertig und innerhalb des Open Compute Project (OCP) veröffentlicht.
Speicherhersteller können jetzt entsprechende Bausteine herstellen und Chipdesigner passende Beschleuniger entwerfen. Bis entsprechende GPUs oder andere Chipvarianten erscheinen, dürften allerdings noch mehrere Jahre vergehen. Die Anbindung an andere Chips erfolgt über die industrieoffene Standard-Schnittstelle Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe).
NAND-Flash statt DRAM
HBF ist eine Alternative zum bisherigen High Bandwidth Memory (HBM). Der größte Unterschied liegt in der Speichertechnik: HBM verwendet flüchtiges Dynamic Random Access Memory (DRAM), das die Daten nur mit aktiver Stromversorgung halten kann. HBF setzt dagegen auf nicht flüchtigen NAND-Flash, allerdings mit Anpassungen, die so nicht bei SSDs zu finden sind.
Durch den Einsatz von NAND-Flash ergibt sich ein großer Vorteil: deutlich größere Kapazitäten. HBF kommt auf bis zu 512 GByte pro Stapel, während aktuelles HBM4 auf maximal 48 GByte ausgelegt ist. Die erste HBF-Spezifikation sieht drei Geschwindigkeitsstufen zwischen 400 GByte/s und 3 TByte/s vor. Vier HBF-Stapel an einem Beschleuniger würden schon die Marke von 10 TByte/s brechen. HBM4 läuft bisher bis 3,3 TByte/s pro Stapel.
