La cinese CXMT avrebbe avviato la cosiddetta "produzione a rischio" di memorie HBM3E, secondo quanto riportato da The Information. Si tratta di una fase iniziale, con quantitativi ancora molto ridotti, ma rappresenta un passaggio importante per il produttore cinese di memorie DRAM, che sta aumentando rapidamente la propria capacità produttiva.
Non si tratta di una fase preliminare, ma di una vera e propria produzione in volumi. La "produzione a rischio", infatti, è definita tale perché il produttore avvia la linea ancor prima che il prodotto sia validato e il processo produttivo consolidato.
L'ingresso nella produzione HBM3E colloca i produttori cinesi a circa due generazioni di distanza dalle aziende sudcoreane, che stanno progressivamente spostando la produzione verso le memorie HBM4E. CXMT sta quindi lavorando su una tecnologia precedente rispetto agli standard verso cui si stanno orientando i principali produttori della Corea del Sud, ma l'avvio della produzione a rischio dimostra che l'azienda ha raggiunto una nuova fase nello sviluppo delle proprie soluzioni HBM.
Le specifiche precise delle memorie HBM3E di CXMT non sono note. Il riferimento disponibile è quindi lo standard JEDEC per HBM3E, che prevede un'interfaccia con ampiezza di 1.024 bit e velocità comprese tra 9,2 Gbps e 12,4 Gbps per pin. La maggior parte delle configurazioni punta in genere a una velocità di 9,6 Gbps per pin.
