A quanto pare, i progetti per la produzione di HBM non hanno rispettato le rosee aspettative dell'azienda cinese. Mentre sul fronte DRAM la società continua a conquistare terreno in un settore da decenni dominato dai concorrenti nordamericani e sudcoreani, la controparte enterprise sembra stia riscontrando qualche difficoltà sul fronte della resa produttiva, almeno secondo i media coreani.
Secondo quanto riportato da ChosunBiz, i problemi riguardano in particolare la realizzazione dei TSV (Through Silicon Vias), oltre alle procedure di stacking e bonding necessarie per assemblare i chip HBM.
Le memorie HBM presentano infatti una complessità produttiva superiore rispetto ai tradizionali moduli DRAM. La tecnologia richiede l'impilamento verticale di più die DRAM, collegati tra loro, e un die di base che permetta alla memoria di comunicare con il sistema di elaborazione. Nelle configurazioni HBM possono essere sovrapposti fino a 16 strati, con una struttura che richiede processi produttivi estremamente precisi.
Uno degli elementi fondamentali è rappresentato proprio dai TSV, sottilissimi collegamenti verticali realizzati all'interno del silicio. I produttori devono praticare fori estremamente piccoli nei wafer e inserire al loro interno connessioni verticali che consentono ai diversi strati della memoria di comunicare tra loro.
