CXMT avrebbe iniziato ad applicare la tecnologia High-k Metal Gate ai transistor delle proprie DRAM, sostituendo l'isolante in biossido di silicio con l'ossido di afnio. Il nuovo materiale contiene le correnti di dispersione che alle dimensioni attuali attraversano lo strato isolante, e toglie di mezzo l'ostacolo principale fra il produttore cinese e il nodo 1?. Al momento non vi sono conferme ufficiali dall'azienda, e tutto circola solo come indiscrezione di settore.
La miniaturizzazione mette in crisi il vecchio isolante. Quando i componenti scendono a scala nanometrica, lo strato di biossido di silicio diventa cos� sottile da perdere efficacia, e la corrente lo attraversa direttamente per effetto tunnel quantistico invece di restare confinata. L'ossido di afnio ha una costante dielettrica k molto pi� alta e a parit� di tensione applicata permette di immagazzinare pi� carica.
Put simply, the biggest technical bottleneck preventing CXMT from moving to the 1? node and beyond has now been removed. https://t.co/OUnW04eCpS� Jukan (@jukan05) August 27, 2026
HKMG sostituisce anche il vecchio elettrodo di gate in polisilicio con stack metallici dedicati. Il cambio elimina la zona elettricamente inerte nota come svuotamento del polisilicio, che erode l'efficienza del transistor. Ogni cella DRAM contiene un transistor, che funziona da interruttore, e un condensatore, che trattiene la carica: su array da miliardi di celle i vantaggi si sommano, fra dispersioni ridotte, minore energia termica sprecata e transistor che commutano pi� in fretta di quanto consentisse il polisilicio.
