CXMT punta a 800.000 wafer al mese nel 2031 e a superare Micron nel 2030

Il produttore cinese avrebbe adottato il gate metallico ad alta costante dielettrica su processo G4 e LPDDR5X, con ossido di afnio al posto del biossido di silicio. La capacit� sale intanto da 200.000 a 300.000 wafer al mese entro fine anno

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