Un gruppo di ricerca della Kyoto University ha realizzato un transistor in carburo di silicio che continua a funzionare a 873 K, pari a 600 �C, mantenendo caratteristiche elettriche stabili sull'intero intervallo di temperatura provato. Il dispositivo appartiene alla famiglia dei JFET, i transistor a effetto di campo a giunzione, che a quella temperatura riesce a mantenere un rapporto fra corrente in conduzione e corrente in interdizione superiore a 1.000. Il transistor distingue quindi ancora nettamente lo stato acceso da quello spento, che � la condizione minima perch� un circuito logico funzioni.
Il carburo di silicio � da tempo un candidato per l'elettronica destinata agli ambienti ostili, perch� sopporta campi elettrici intensi e temperature alle quali il silicio smette di essere affidabile. Circuiti in SiC funzionanti oltre i 500 �C erano gi� stati dimostrati, ma il passaggio dalla dimostrazione di laboratorio a componenti affidabili e utilizzabili � rimasto il problema aperto. Due limiti in particolare hanno tenuto questi transistor lontani dall'impiego reale alle temperature pi� alte: la difficolt� di controllare con precisione la tensione di soglia, il valore al quale il dispositivo commuta, e le correnti di dispersione che compaiono nel materiale sottostante man mano che la temperatura sale.
