Il dispositivo � un JFET con il gate sotto il canale e isolamento a giunzione p-n al posto della resistenza del materiale sottostante. A 873 K il gruppo riferisce un rapporto on-off sopra 1.000, e a 400 �C uno scarto di soglia sotto gli 0,1 V

The bottom-gate JFET holds its threshold voltage to within 0.1V at 400°C.

Il dispositivo � un JFET con il gate sotto il canale e isolamento a giunzione p-n al posto della resistenza del materiale sottostante. A 873 K il gruppo riferisce un rapporto…