Die zwei weltweit größten Speicherhersteller wechseln den Fokus offenbar von High-Bandwidth Memory (HBM) auf DDR5-DRAM. Berichten zufolge satteln Samsung und SK Hynix manche Produktionslinien von bisherigen HBM-Generationen wie HBM3e auf „Allzweck-DRAM“ um. Damit ist typischerweise DDR5 gemeint.
Im Falle von Samsung berichtete Digitimes aus Taiwan schon Ende 2025 über die Umstellung. Über SK Hynix schreibt jetzt Chosun aus Südkorea anhand interner Quellen. Demnach verlangsamt der Hersteller die Umstellung auf HBM4 für neue KI-Beschleuniger, etwa Nvidias Rubin. Sie wird allerdings nicht komplett ausgesetzt; SK Hynix liefert bereits HBM4 aus.
Marge in ungeahnten Gefielden
Grund soll die hohe Gewinnspanne von DDR5-Speicher sein. Angeblich könnte die Bruttomarge in den nächsten Monaten auf 90 Prozent steigen, ein bisher unerreichter Wert bei Speicher jeglicher Art.
In den eigenen Geschäftsberichten nennt SK Hynix lediglich firmenweite Gewinnspannen, die auch NAND-Flash unter anderem für SSDs enthalten. Die Bruttomarge lag im ersten Quartal bei 79 Prozent, offenbar hochgezogen von DDR5, LPDDR5 und HBM. Schon da gab die Firma an, auf die hohe Nachfrage nach (DDR5-)Speichermodulen für Server reagieren zu wollen.
