Ha már nem lehet tovább zsugorítani, akkor építkezzünk felfelé. Az új módi érthető: a szilíciumlapkákra helyezhető memóriák száma lassan eléri a fizikai korlátot. Felfelé viszont még szabad az út, ezért is választotta a SanDisk és a Kioxia ezt a megoldást, amellyel sikerült létrehozniuk a világ legnagyobb sűrűségű 3D NAND flash memóriáját.
Nem kettő, nem négy, de nem is tíz, hanem 332 aktív réteget helyezett egymásra a SanDisk és stratégiai partnere, a japán memóriachip-gyártó Kioxia. A BiCS10 nevű 3D QLC NAND memóriachipet a Future of Memory and Storage (FMS) 2026 konferencián mutatták be. A 3D kifejezés el is árulja a lényeget. Régebben a memóriacellák síkban helyezkedtek el, ezért a kapacitás növeléséhez egyre kisebb cellákat kellett gyártani. Ez azonban egyre drágább és technológiailag nehezebb, sőt egy idő után már megoldhatatlan feladat. Ezzel az elvvel szakított a 3D NAND – a mérnökök egymás fölé kezdték tenni a memóriarétegeket.Mint említettük, az újdonság 332 réteget tartalmaz, és nagy kapacitású, adatközponti szintű SSD-khez készült, amelyek célja az adatközpontok tárolási sűrűségének rmaximalizálása. És erre most tényleg van lehetőség, hiszen az új memória több mint 37 gigabitet képes tárolni négyzetmilliméterenként, ami jelenleg iparági rekord. Ha pedig ugyanakkora szilíciumlapkán több adat tárolható, akkor ugyanazon a gyártósoron több terabájtnyi memória készülhet. Ez hosszabb távon nemcsak nagyobb SSD-ket, hanem kedvezőbb gyártási költségeket is jelenthet.Az újdonság esetében szívesen emlegetnek még egy adatot: 4800 MT/s – ez a memória és az SSD vezérlője közötti adatkapcsolat sebességére utal. A 4800 MT/s (megatranszfer másodpercenként, ahol a transzfer egy adatátviteli esemény a hardver két része között, a mega pedig itt egymilliót jelent) azt jelenti, hogy a chip rendkívül gyorsan tud adatot továbbítani a vezérlő felé. Ez azért kedvező, mert minél nagyobb ez az érték, annál kevésbé válik a NAND memória a rendszer szűk keresztmetszetévé.Az új memória persze nem a számítógépes játékosok számára készült, a célcsoportját az adatközpontok, pontosabban a nagy teljesítményű adatközponti SSD-k jelentik. Itt ugyanis egyszerre kell óriási mennyiségű adatot tárolni és rendkívül gyorsan kiszolgálni. A nagy sebesség azonban általában nagyobb energiafogyasztással jár, ezért a Kioxia és a Sandisk egy új áramköri megoldást (PI-LTT) is bevezetett. Ez csökkenti a memória és a vezérlő közötti adatátvitel energiaigényét, miközben megőrzi a gyors és megbízható működést, ami különösen fontos a több ezer SSD-t üzemeltető adatközpontok számára – magyarázza a Tom’s Hardware.Mivel az új eszköz a legújabb BiCS10 technológiai eljárással készül, nemcsak rekord bitsűrűséget érhető el, hanem alacsonyabbak a költségek is a versenytársak nagy sűrűségű 3D QLC NAND IC-ihez képest, legalábbis ha majd a hozamok elérik a célzott szintet. Ennek eredményeként a konkurenseknél olcsóbban kínálhatnak ultra nagy kapacitású SSD-ket, vagy ha hasonló áron értékesítenek, akkor nagyobb lesz a haszonkulcsuk. A Kioxia szerint az új BiCS10 chipeket a vállalat legmodernebb és legmodernebb üzemében, a japán Kitakamiban fogják gyártani.Egyébként a Samsung tizedik generációs memóriái több réteggel rendelkeznek és gyorsabbak, akár 5600 MT/s-ot is elérhetnek, viszont nem érik el ezt a sűrűséget.Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.
