Intel e la società statunitense 3DGS investiranno circa 3,3 miliardi di dollari per la realizzazione di un nuovo impianto produttivo nello stato indiano dell'Odisha. Lo riporta Reuters. L'iniziativa rientra nel più ampio programma con cui il governo di Nuova Delhi sta cercando di attrarre investimenti nella filiera dei semiconduttori attraverso incentivi economici e sussidi dedicati.
Il progetto sarà sviluppato nell'area di Bhubaneswar-Khurda e richiederà un periodo stimato di cinque-sei anni per il completamento. Secondo le informazioni diffuse dalle autorità indiane, la nuova struttura dovrebbe generare oltre 1.800 posti di lavoro diretti ad alta specializzazione, contribuendo alla crescita delle competenze locali nel settore tecnologico.
L'impianto sarà focalizzato sulla produzione di substrati avanzati per il packaging dei semiconduttori, con particolare attenzione ai substrati in vetro e a quelli con interconnessioni ad alta densità (HDI). Si tratta di componenti fondamentali nell'assemblaggio dei chip moderni: i substrati rappresentano infatti la base sulla quale vengono montati e collegati i diversi elementi che compongono un dispositivo semiconduttore.
Negli ultimi anni il packaging avanzato è diventato uno degli ambiti più strategici dell'industria dei semiconduttori. L'aumento della complessità dei processori e delle soluzioni dedicate all'intelligenza artificiale ha reso sempre più importante l'adozione di tecnologie capaci di incrementare densità di connessione, prestazioni elettriche ed efficienza energetica. In questo contesto, i substrati in vetro e le soluzioni HDI rappresentano una delle direttrici di sviluppo più promettenti per le future generazioni di prodotti.
