Intel ha pubblicato un nuovo brevetto che descrive una tecnologia denominata XBM (Cross-Batch Memory), pensata come possibile alternativa alle future memorie HBM4 e progettata per incrementare la larghezza di banda riducendo, al tempo stesso, i costi di produzione e packaging. Intel, oltre al progetto ZAM sviluppato insieme a SAIMEMORY, sembra quindi portare avanti una seconda strada completamente indipendente.
Il brevetto, pubblicato il 2 luglio 2026 ma depositato il 26 dicembre 2024 e individuato dal leaker Underfox, descrive una memoria impilata verticalmente che mantiene un ingombro paragonabile a quello previsto per HBM4, introducendo però modifiche sostanziali sia nella struttura della DRAM sia nell'interfaccia di comunicazione.
L'elemento più innovativo riguarda la realizzazione delle celle di memoria. Nelle DRAM tradizionali i transistor vengono fabbricati nel front-end-of-line (FEOL), ovvero nello strato di silicio del chip. XBM propone invece di spostarli nel back-end-of-line (BEOL), sfruttando transistor a film sottile integrati negli strati metallici superiori. Questa soluzione consentirebbe di aumentare l'efficienza nell'uso della superficie del die, lasciando maggiore spazio alle connessioni verticali TSV (Through-Silicon Via) e incrementando, allo stesso tempo, densità e larghezza di banda complessive.
