SK hynix ha approvato un investimento da 54,3 trilioni di won, poco più di 38,1 miliardi di euro, per aumentare la produzione di memorie in Corea del Sud. Il piano, con orizzonte fino al 2031, assegna 21,5 miliardi di euro al secondo impianto del polo di Yongin e 11,7 miliardi alla fabbrica M17 di Cheongju.
La nuova spesa risponde alla crescita dei data center AI, che utilizzano sempre più DRAM ad alte prestazioni, HBM e memoria NAND. L’obiettivo è aumentare la capacità produttiva in un settore in cui la domanda sta evolvendo rapidamente e richiede tecnologie complementari per calcolo, archiviazione e trasferimento dei dati.
Yongin e Cheongju rafforzano la memoria AI
La quota principale dell’investimento finanzierà Y2, il secondo impianto previsto nel polo di Yongin. I lavori dovrebbero iniziare nel luglio 2027, mentre la prima camera bianca dovrebbe essere pronta nel giugno 2029. La fabbrica produrrà DRAM avanzata, inclusa la HBM destinata agli acceleratori per l’Intelligenza Artificiale.
HBM, acronimo di High Bandwidth Memory, collega più strati di DRAM attraverso un’interfaccia ad ampia banda e un packaging avanzato. Questa struttura consente di trasferire rapidamente grandi quantità di dati tra la memoria e GPU o acceleratori AI, riducendo uno dei principali colli di bottiglia dei sistemi moderni. La produzione richiede però processi complessi, camere bianche, apparecchiature specializzate e controlli rigorosi sulla resa.
