Die zwei wichtigsten Speicherhersteller der Welt bauen jeweils zwei zusätzliche Halbleiterwerke. Sie projizieren zusätzliche Investitionen von 800 Billionen Won, was aktuell etwa 455 Milliarden Euro entspricht. Weiteres Geld fließt in Werke zur weiteren Verarbeitung und KI-Rechenzentren.
Es geht offenbar ausschließlich um Arbeitsspeicher (Dynamic Random Access Memory, DRAM), mit Fokus auf Speicherstapel vom Typ High-Bandwidth Memory (HBM). Dieser DRAM-Typ kommt vorwiegend auf KI-Beschleunigern und einigen Serverprozessoren zum Einsatz. Aktuelle Riegel für Desktop-PCs benötigen hingegen DDR5-Bausteine, Notebooks kommen zusätzlich mit LPDDR5(X) klar. Von NAND-Flash für SSDs ist bei dem Vorhaben keine Rede.
High-Bandwidth Memory wie HBM3 sitzt vor allem auf KI-Beschleunigern wie Nvidias Blackwell- und Rubin-GPUs. Die Stapel sitzen direkt auf dem Chipträger (hier die acht kleinen Quader). Für Endnutzer ist dieser Speichertyp irrelevant.
(Bild: Carsten Spille / heise medien)
Die Pläne kündigten am Montag der Samsung-Vorsitzende Lee Jae-yong und Chey Tae-won, Chef der SK Group, zusammen mit dem südkoreanischen Präsidenten Lee Jae Myung an. Die Ankündigung wurde online übertragen; zahlreiche südkoreanische Medien berichten. Das Ziel: Bis 2031 soll sich die DRAM-Produktion in Südkorea verdoppeln.
