Indra Group lidera un consorcio que desarrolla un semiconductor de nitruro de galio (GaN) más veloz, reducido, resistente y barato
El tren de la fabricación masiva de chips basados en silicio ya pasó para España y el resto de Europa. Lo cogieron otras potencias tecnológicas norteamericanas y asiáticas y alcanzarlo es inviable. Pero hay uno en camino más robusto, tolerante a mayores densidades de potencia, capaz de operar con voltajes más altos y a un mayor ancho de banda. El billete para subirse a esta tercera generación de procesadores, el elemento clave de cualquier dispositivo electrónico, se llama
self" rel="" title="https://elpais.com/elpais/2014/10/07/ciencia/1412676307_341462.html" data-link-track-dtm="">nitruro de galio (GaN), un semiconductor más veloz, reducido, resistente y barato. Indra Group lidera un consorcio, formado también por Televés Corporación, SPARC Foundry y RBZ Robot Design, para empezar a fabricar en Vigo estos nuevos chips en el plazo de un año: es el proyecto GIGaNTE.
El objetivo final es una ambición perseguida por Europa desde que se quedó en el andén tecnológico y que ahora es ya urgente: la soberanía tanto civil como militar en el mundo electrónico. Como explica Achim Lösch, directivo de Fraunhofer, una entidad de investigación alemana puntera en estos desarrollos, “los desafíos geopolíticos como los actuales conflictos son una oportunidad para que las economías europeas obtengan ventajas tecnológicas en las áreas clave de generación y movilidad energética desarrollando sus propias soluciones en electrónica”.
