2026-08-05 07:26分享至当地时间8月4日， 三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，公布面向AI基础设施的下一代存储技术路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。三星表示，zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效表现。（界面）原文链接下一篇36氪获悉，SpaceX发布2026年第二季度财报，这是该公司上市后发布的首份财报。财报显示，SpaceX第二季度营收78.14亿美元，较上年同期的40.71亿美元增长92%；净亏损5.41亿美元，较上年同期的净亏损10.08亿美元收窄46%。52分钟前