2026-06-17 15:52分享至据ZDNET Korea，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。（新浪财经）原文链接36氪获悉，天眼查App显示，近日，盐城市中集苏悦海洋战新产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）成立，执行事务合伙人为盐城市集悦企业管理合伙企业（普通合伙），出资额10亿人民币，经营范围为以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动。合伙人信息显示，该基金由江苏省海洋经济股权投资基金（有限合伙）、中集集团旗下中集资本控股有限公司、阜宁县阜开科技创业发展有限公司、悦达资本股份有限公司、盐城市集悦企业管理合伙企业（普通合伙）共同出资。16分钟前
消息称三星电子1d DRAM有望明年年底初步量产-36氪
据ZDNET Korea，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。（新浪财经）
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